Intel considera arquitetura de potência dupla-face para processo de 1.4nm para competir com TSMC e Samsung

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A 5 de julho, a Intel está a considerar adotar uma arquitetura de alimentação dupla que utiliza fornecimento de energia tanto frontal como traseiro no seu processo ultrafino de 1,4 nm para acompanhar os concorrentes. Fontes da indústria indicam que a Intel planeou inicialmente utilizar a tecnologia de fornecimento de energia traseira PowerDirect no seu processo base 14A a 1,4 nm, mas está agora a ponderar a introdução de uma arquitetura dupla no processo subsequente 14A2. A Intel anunciou anteriormente planos para aumentar a densidade de chips em 1,3 vezes no processo 14A em comparação com o processo 18A; o pitch M0 alvo para o processo 14A é de aproximadamente 28 nm, enquanto o processo 14A2 pode avançar o pitch M0 para 21 nm através de melhorias de meio nó. Mantendo uma rede de fornecimento de energia traseira como fonte principal, a Intel irá realocar algumas cablagens frontais para fins de alimentação auxiliar e sinal de relógio, de modo a compensar as deficiências de margem de energia causadas pela escalabilidade e pelas limitações de exposição. O processo Intel 14A está programado para entrar em produção de risco em 2028 e em produção em massa em 2029. A Intel precisa de lançar a versão 0.9 do kit de design do processo 14A para clientes externos até outubro deste ano e garantir encomendas confirmadas dos principais clientes fabless nos 18 meses seguintes. Em comparação, a TSMC planeia enviar produtos reais de 1,4 nm A14 em 2028, enquanto a Samsung Electronics pretende comercializar um processo melhorado de 2 nm SF2Z utilizando tecnologia de fornecimento de energia traseira em 2027.
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