#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
我們正遠離由供應短缺引發恐慌所觸發的混亂、突然的價格尖峰；相反地，我們正進入一個結構穩健、由 AI 推動的擴張時期，預期將持續到 2027 年。
推動這一輪循環的動力，解釋了為何儘管消費者需求放緩，市場仍保持韌性。
2026 年第二季價格上升與第三季轉緩：2026 年第二季度對記憶體製造商而言非常強勁；然而，第三季度的放緩表明消費者已觸及其購買力的上限。
傳統 DRAM：平均上漲 74%；預期成長將放緩至 13%–18% 的區間。
伺服器 DRAM：+60% 到 +67%；受惠於高效能 DDR5 模組；現貨價格相較合約價格呈現顯著溢價。
行動 DRAM：約 80%；出現急劇的高點，但手機製造商（OEM）目前正調整採購時程，並因成本而縮減配置。
NAND Flash：約 60%（整體合約）；明顯可見重大分歧。6 月晶圓現貨價格下跌 3%–4%，但企業 SSD 與行動儲存分部（+70% 到 +80%）仍支撐市場。
由 AI 推動的結構性轉變：為什麼這次不同？歷史上，記憶體循環常呈現「繁榮—破滅」模式：供應商累積過剩產能，消費端對 PC 與智慧型手機的需求下滑，價格跌至谷底。
這一輪正在被兩股關鍵力量從根本上改寫：
長期協議（LTAs）：超大規模資料中心營運商與美國一級雲端服務提供商（CSP）不再僅依賴公開現貨市場的採購。他們正在簽訂為期 3 到 5 年、且包含嚴格價格下限的合約，以保護自身免受景氣下行影響。例如，雖然 SK Hynix 與 Micron 等供應商在年初即簽署大型 LTAs 以確保產品分配，三星則採取更積極的立場，目標是達成更高的價格上限。
產能轉移（自我吞噬）：對高頻寬記憶體（HBM）與先進伺服器 DDR5 的需求強烈到幾乎無法滿足，這意味著製造商正在將實體晶圓產能從傳統的 PC 與行動 DRAM 生產，轉向這些領域。即使消費性電子需求走弱，整體供給仍受限，因為生產設施（晶圓廠）專注於製造高毛利的 AI 晶片。
供應商展望
Bernstein 的觀點凸顯出這項高度多元、以 AI 為核心的生產策略中的贏家：
三星、SK Hynix 與 Micron（跑贏）：這三家公司是 HBM 與 DDR5 熱潮的主要受益者；它們擁有龐大且已鎖定的長期協議（LTA）訂單備份，得以在 2027 年之前平滑其營收軌跡。
SanDisk（跑贏）：在企業 SSD 合約中具有特別有利的結構性位置，提供較高的價格下限（約 0.29/GB），使其免受 NAND 晶圓價格的些微波動影響。
Kioxia（審慎/落後）：暴露在更具波動性的、非 LTA 的商品快閃記憶體市場，且對消費端晶圓分部走軟的防護較少。
每月價格飆升的「火箭船」階段正在結束，但不要把這誤判為牛市的終結。記憶體定價的結構性底線仍維持在高位。預期要到 2027 年底或 2028 年，才會使正常化全面落地，因為新建的產能終於在那時陸續投產。
我們正遠離由供應短缺引發恐慌所觸發的混亂、突然的價格尖峰；相反地，我們正進入一個結構穩健、由 AI 推動的擴張時期，預期將持續到 2027 年。
推動這一輪循環的動力，解釋了為何儘管消費者需求放緩，市場仍保持韌性。
2026 年第二季價格上升與第三季轉緩：2026 年第二季度對記憶體製造商而言非常強勁；然而，第三季度的放緩表明消費者已觸及其購買力的上限。
傳統 DRAM：平均上漲 74%；預期成長將放緩至 13%–18% 的區間。
伺服器 DRAM：+60% 到 +67%；受惠於高效能 DDR5 模組；現貨價格相較合約價格呈現顯著溢價。
行動 DRAM：約 80%；出現急劇的高點，但手機製造商（OEM）目前正調整採購時程，並因成本而縮減配置。
NAND Flash：約 60%（整體合約）；明顯可見重大分歧。6 月晶圓現貨價格下跌 3%–4%，但企業 SSD 與行動儲存分部（+70% 到 +80%）仍支撐市場。
由 AI 推動的結構性轉變：為什麼這次不同？歷史上，記憶體循環常呈現「繁榮—破滅」模式：供應商累積過剩產能，消費端對 PC 與智慧型手機的需求下滑，價格跌至谷底。
這一輪正在被兩股關鍵力量從根本上改寫：
長期協議（LTAs）：超大規模資料中心營運商與美國一級雲端服務提供商（CSP）不再僅依賴公開現貨市場的採購。他們正在簽訂為期 3 到 5 年、且包含嚴格價格下限的合約，以保護自身免受景氣下行影響。例如，雖然 SK Hynix 與 Micron 等供應商在年初即簽署大型 LTAs 以確保產品分配，三星則採取更積極的立場，目標是達成更高的價格上限。
產能轉移（自我吞噬）：對高頻寬記憶體（HBM）與先進伺服器 DDR5 的需求強烈到幾乎無法滿足，這意味著製造商正在將實體晶圓產能從傳統的 PC 與行動 DRAM 生產，轉向這些領域。即使消費性電子需求走弱，整體供給仍受限，因為生產設施（晶圓廠）專注於製造高毛利的 AI 晶片。
供應商展望
Bernstein 的觀點凸顯出這項高度多元、以 AI 為核心的生產策略中的贏家：
三星、SK Hynix 與 Micron（跑贏）：這三家公司是 HBM 與 DDR5 熱潮的主要受益者；它們擁有龐大且已鎖定的長期協議（LTA）訂單備份，得以在 2027 年之前平滑其營收軌跡。
SanDisk（跑贏）：在企業 SSD 合約中具有特別有利的結構性位置，提供較高的價格下限（約 0.29/GB），使其免受 NAND 晶圓價格的些微波動影響。
Kioxia（審慎/落後）：暴露在更具波動性的、非 LTA 的商品快閃記憶體市場，且對消費端晶圓分部走軟的防護較少。
每月價格飆升的「火箭船」階段正在結束，但不要把這誤判為牛市的終結。記憶體定價的結構性底線仍維持在高位。預期要到 2027 年底或 2028 年，才會使正常化全面落地，因為新建的產能終於在那時陸續投產。
