Gate News 消息，据Gate官方公告 Gate CFD合约股票专区已上线53个CFD交易对，支持4倍固定杠杆。上线交易对包括SHLD（GLOBAL X国防科技ETF）、DRAM（Roundhill内存ETF）、GME（游戏驿站）、NBIX（神经分泌生物科学）、BAX（百特国际）、KMI（金德尔摩根）、CFG（公民金融集团）、Z（Zillow集团）、DVN（德文能源）、ADP（自动数据处理

Gate News 消息，据2026年5月18日Gate官方公告 Gate合约股票专区将于2026年5月18日14:30（UTC+8）首发上线DRAM（伦希尔存储芯片ETF）、HIMS（希姆斯健康）、SHLD（环球X国防科技ETF）、IWM（贝莱德罗素2000ETF）、FLNC（弗伦斯能源）永续合约实盘交易，支持USDT结算，提供1-20倍做多和做空操作。 DRAM为全球首只纯内存芯片主题ET

据 Hana Securities 和 Citrini Research 称，英伟达预计将在 2027 年成为低功耗 DRAM（LPDDR）最大的用户，原因是 AI 服务器需求激增。英伟达的 LPDDR 产能预计将从 2026 年的 60410亿 GB 增至 2027 年的 31440亿 GB，超过苹果和三星电子，并占全球总供给的 36%。分析师将这一转变归因于更新的 AI 系统，例如英伟达的 Vera Rubin，其耗用的内存显著高于传统设备。

5 月 11 日，44 岁的零售店经理 Brian Emes 在阿尔伯塔省莱斯布里奇购买了 55 股 Roundhill Memory ETF（DRAM）。该 ETF 仅在 4 月初刚刚推出。该持仓目前约占他投资组合的 7%，因此这是一笔押注人工智能以及内存芯片股票的集中型交易。 Emes 根据 Reddit 讨论帖和 YouTube 视频中的内容进行购买，这些内容强调了由 AI 驱动的对内存芯片的需求，并将其视为一个他不该错过的交易机会。

据 Guru Club 称，5 月 15 日，国泰君安证券研究发现，由 AI 驱动的供应链通胀正在重塑半导体配置。传统 DRAM 供给短缺已达 30-50%，随着 AI 加速器争夺 HBM 资源，价格飙升。与此同时，亚马逊 AWS 和谷歌云打破了持续两十年的降价趋势以提高费用，表明成本压力正向下游传导至消费者。 从聊天到行动的 AI Agent 演进预计将引发下一轮通胀周期。2024-2025 年期间，代币消耗激增 300 倍；每项 Agent 任务所需的后端计算量比普通聊天多几十倍。这将推动 HBM 需求呈指数级增长，但供应扩张在晶圆消耗和良率约束方面面临瓶颈，显著的产能缓解预计要到 2027-2028 年才会出现。

据《The Korea Herald》报道，三星电子计划在第四季度开始为 AI 服务器量产其 CXL 3.1 内存模块，此前该公司在第三季度进行了样品出货。CMM-D 3.1 模块将 DRAM 和 CXL 控制器集成在一块板上，支持最高 1 TB，并在 PCIe 6.0 上提供高达每秒 72 GB 的带宽。三星此前已向包括 Microsoft 和 Amazon 在内的 40 多家公司出货了 CXL 2.0 样品。

据 Citi 称，这家券商在 5 月 12 日将 SK Hynix（000660.KS）的目标股价从 170 万韩元上调至 310 万韩元，理由是内存定价趋势强劲，以及 2026 年下半年 HBM（高带宽内存）的增长好于预期。Citi 预计，SK Hynix 将在 2026 年第 4 季度受益于 HBM 定价环比增长 30%，该预期由近期 AI 发展带动的强劲 DRAM 定价提供支持。该券商维持对该股票的买入评级。

据彭博智能（Bloomberg Intelligence）报道，Roundhill Memory ETF（DRAM）周一上涨 6.44%，至 56.20 美元，在仅 36 个交易日内资产规模突破 65 亿美元——这是史上最快的交易所交易基金（ETF）达到该里程碑，超过了达到这一水平所需 43 至 51 天的比特币 ETF。此次反弹由对 AI 内存芯片的强劲需求推动；该 ETF 最大持仓 Micron Technology 占比为 27%，周一上涨 5%，此前周五曾上涨 13%，吸引了 10 亿美元资金流入。 D.A. Davidson 重申对 Micron 的买入评级，并给出 1,000 美元的目标价，意味着大约 34% 的上行空间；其理由是先进 AI 系统对内存容量的需求强劲。SK Hynix 和三星电子同样位列该 ETF 的前两大持仓，分别占 26% 和 20%。

据彭博分析师 Eric Balchunas 称，Roundhill Memory ETF（DRAM）仅用 36 天资产规模就突破 65 亿美元，打破了此前由贝莱德的比特币现货 ETF IBIT 创下的纪录；IBIT 用了 43 天才达到同一里程碑。DRAM 周五上涨 13%，并吸引了约 10 亿美元的资金流入，推动其迅速实现资产增长。

Gate 新闻消息，4 月 28 日——台湾内存芯片制造商南亚科技将为英伟达下一代 Vera Rubin 人工智能平台供应 LPDDR5X 低功耗 DRAM，并采用 SOCAMM2 内存模块格式。 英伟达正在增加南亚科技作为备份供应商，与三星电子和 SK 海力士并列，以降低供货风险并提升定价议价能力。此举是在台积电协助提升英伟达的 LPDDR 封装及质量之后进行的。 每台 Vera Rubin 超级芯片将一颗中央处理器（CPU）与一颗图形处理器（GPU）配对，并配备 1.5 TB 的内存——其容量是此前系统的三倍。与传统注册式双列直插内存模块 RDIMMs 相比，SOCAMM2 提供了超过两倍的带宽，并在能效方面提升超过 75%，以满足人工智能工作负载需求。