Em 29 de maio, a Samsung Electronics anunciou que começou a enviar amostras de engenharia do primeiro HBM4E empilhado em 12 camadas do setor para principais clientes globais, consolidando ainda mais sua posição de liderança no mercado de memória de alta largura de banda da próxima geração (HBM). A medida aborda a escalada das demandas de computação de IA, com a Samsung afirmando que o HBM4E de 12 camadas oferece duas melhorias em eficiência energética e desempenho térmico para atender aos requisitos de computação de IA de alta carga da próxima geração. A base de clientes da Samsung inclui fabricantes de chips de IA como NVIDIA e AMD, além de provedores de serviços em nuvem como Google e Microsoft — todos empresas essenciais que dão suporte às necessidades de computação de IA.
Especificações do produto e métricas de desempenho
O Samsung HBM4E, a quarta geração aprimorada de memória de alta largura de banda da empresa, atinge uma taxa de pinos estável de 14 gigabits por segundo (Gbps), com escalabilidade para 16Gbps para atender ao aumento das demandas de processamento de dados. Em comparação com o Samsung HBM4, o desempenho aumenta em mais de 20%, com a largura de banda máxima de memória por pilha única chegando a 3,6 terabytes por segundo (TB/s) para maximizar o desempenho de computação para modelos de linguagem (LLM) e sistemas de IA da próxima geração.
Em capacidade de armazenamento, o HBM4E de 12 camadas da Samsung oferece 48 gigabytes (GB) por pilha, representando um aumento de capacidade de mais de 30% em relação à geração anterior. A Samsung Electronics declarou que pretende expandir a linha do produto com base nas necessidades dos clientes, adicionando versões de configuração de 32GB (pilha de 8 camadas) e 64GB (pilha de 16 camadas).
Tecnologia de fabricação e integração de processo
A Samsung Electronics declarou que a principal vantagem do HBM4E está na integração total da tecnologia de semicondutores de ponta a ponta da própria Samsung, reutilizando e otimizando processos de ponta validados durante a produção em massa do HBM4. O produto utiliza o processo DRAM classe 10 nanômetros de sexta geração mais avançado do setor (processo 1c), combinado com o wafer base de lógica de 4 nanômetros da Samsung Foundry, proporcionando ao HBM4E maior estabilidade de processo e capacidade de fabricação.
Eficiência energética e desempenho térmico
Otimizações de design e de processo na arquitetura de armazenamento e lógica do HBM4E melhoraram desempenho, eficiência energética e rendimento. Em comparação com o HBM4, o HBM4E entrega aproximadamente 16% de melhoria em eficiência energética e mais de 14% de redução na resistência térmica. A Samsung afirmou que essas melhorias permitem uma dissipação de calor mais eficiente, aumentando a confiabilidade operacional de data centers de próxima geração com alta carga, ao mesmo tempo em que reduz o consumo de energia.
Cronograma de produção e posição no mercado
A Samsung declarou que iniciará a produção em massa do HBM4E de acordo com os cronogramas dos clientes após concluir a entrega de amostras e a otimização de adaptação pelos clientes. O HBM4, lançado em fevereiro deste ano, recebeu alta aceitação de clientes globais, com desempenho e eficiência energética especialmente bem recebidos.
Desempenho financeiro
Em 30 de abril, a Samsung Electronics divulgou resultados do 1T, com lucro operacional final verificado calculado com base em demonstrações financeiras consolidadas aumentando 756,1% ano a ano para 57.232,8 bilhões de won coreano (aproximadamente 263,9 bilhões de RMB), marcando o segundo trimestre consecutivo de resultados recordes de maior valor em um único trimestre. A divisão de Soluções de Dispositivos (DS), responsável pelo negócio de semicondutores, impulsionou o crescimento do desempenho geral da empresa, alcançando vendas no 1T de 81,7 trilhões de won e lucro operacional de 53,7 trilhões de won — ambos máximos históricos em um único trimestre.
Perguntas frequentes
Qual é a capacidade do Samsung HBM4E de 12 camadas?
O HBM4E de 12 camadas oferece 48GB por pilha, representando um aumento de capacidade de mais de 30% em relação à geração anterior. A Samsung planeja adicionar configurações de 32GB (8 camadas) e 64GB (16 camadas) com base nas necessidades dos clientes.
Quão mais rápido o HBM4E é em comparação com o HBM4?
O HBM4E entrega uma melhoria de desempenho de mais de 20% em comparação com o HBM4, com taxa de pinos estável de 14Gbps escalável para 16Gbps, e largura de banda máxima da memória por pilha única chegando a 3,6TB/s.
Qual processo de fabricação a Samsung usa para o HBM4E?
O HBM4E utiliza o processo DRAM de 10 nanômetros de sexta geração (processo 1c) da Samsung, combinado com o wafer base de lógica de 4 nanômetros da Samsung Foundry.
