A Samsung vai fornecer HBM personalizada para o chip de IA Feynman da Nvidia usando a tecnologia de ligação híbrida

De acordo com a BlockBeats, em 21 de julho, a Samsung Electronics começou a construir uma linha de produção de “Die-to-Wafer” com ligação híbrida na sua unidade Pyeongtaek P5, para apoiar o empacotamento avançado da próxima geração de semicondutores de HBM e lógica. A empresa planeja adquirir aproximadamente 50 sistemas de ligação híbrida do fabricante holandês de equipamentos, a BESI.

O analista Jukan, da Citrini, afirmou que a tecnologia de ligação híbrida deve ser adotada no próximo acelerador de IA de geração da Nvidia, o Feynman, que usará HBM personalizado. A Samsung projeta, internamente, produção em massa por volta de 2029-2030, alinhando-se ao cronograma esperado para o chip Feynman da Nvidia.

Isenção de responsabilidade: as informações nesta página podem ter origem em fontes terceiras e servem apenas como referência. Não representam as opiniões da Gate e não constituem orientação financeira, de investimentos ou jurídica. A negociação de ativos virtuais envolve alto risco. Não tome decisões baseando-se apenas nas informações desta página. Para mais detalhes, consulte a Isenção de responsabilidade.
Comentário
0/400
Sem comentários