Avanço da IA na ponta: a TetraMem anuncia os resultados do MLX200, uma plataforma construída com chips de 22 nm da TSMC

A empresa de design de semicondutores TetraMem, sediada em Silicon Valley, anunciou que o seu SoC MLX 200, baseado num chip RRAM de 22 nm da TSMC, já concluiu com sucesso a tape-out, a produção e a validação. Esta tecnologia de ponta permite executar operações diretamente na matriz de memória, ajudando a resolver as limitações de transmissão de dados, consumo energético e dissipação de calor que a IA de ponta (Edge AI) enfrenta. Os casos de uso incluem dispositivos vestíveis, processamento de voz e muito mais. As amostras deverão ser enviadas no segundo semestre deste ano.

Como o processamento em memória supera o gargalo da transmissão tradicional

À medida que as cargas de trabalho de IA continuam a expandir-se, o desempenho dos sistemas fica limitado pela transmissão de dados entre a memória e as unidades de computação. A simulação de processamento em memória oferece uma abordagem totalmente diferente: permite executar cálculos diretamente no interior da matriz de memória, reduzindo a transmissão de dados e aumentando a eficiência. A plataforma MLX200 da TetraMem integra matrizes RRAM multicamadas e um motor de computação de sinais mistos, possibilitando operações vetoriais de elevada taxa de transferência dentro da memória, mantendo simultaneamente compatibilidade com processos CMOS avançados.

Vantagens da tecnologia RRAM multicamadas introduzida no processo de 22 nm da TSMC

A tecnologia Memory RRAM multicamadas, validada com o processo de 22 nm da TSMC, demonstra elevada compatibilidade com CMOS no processo de fabrico. Em termos de desempenho de computação, apresenta características de operação com baixa tensão e baixa corrente, com uma capacidade de retenção de dados e durabilidade robustas. Além disso, a tecnologia suporta densidade superior de memória e de computação. Os resultados iniciais de testes do chip indicam uma elevada consistência de funcionalidade entre as várias matrizes, comprovando a viabilidade comercial deste método de conceção em aplicações de memória.

Este avanço tecnológico assenta na base da plataforma MX 100 anterior da TetraMem, produzida com o processo CMOS de 65 nm da TSMC. A empresa já tinha demonstrado que os dispositivos RRAM multicamadas possuem milhares de níveis de condutância; estudos académicos relevantes foram publicados na revista Nature em março de 2023. Os resultados preliminares serão agora alargados a processos ainda mais avançados. Desde 2019, a TetraMem tem trabalhado em conjunto com a TSMC no desenvolvimento e na promoção da investigação em tecnologia RRAM.

Plano de desenvolvimento para cenários de aplicação de IA de ponta

As plataformas Tetra MLX 200 e MLX 201 são principalmente concebidas para Edge AI, onde a sensibilidade a consumo de energia e latência é elevada. Os casos de uso incluem processamento de voz e áudio, dispositivos vestíveis, sistemas de IoT e sistemas de sensores que precisam de operar continuamente. A TetraMem prevê começar a disponibilizar amostras no segundo semestre deste ano, ao mesmo tempo que a sua propriedade intelectual (IP) de memória de RRAM multicamadas será igualmente aberta para avaliação de licenciamento. Glenn Ge, diretor executivo e cofundador da TetraMem, afirmou que a longa colaboração da empresa com a TSMC comprova a viabilidade de transformar uma arquitetura de RRAM multicamadas em chips comerciais de um processo de fabrico avançado, proporcionando aplicações reais para a próxima geração de IA de ponta.

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