A secção de contratos de ações da Gate será lançada a 18 de maio com contratos perpétuos de DRAM, HIMS, SHLD, IWM e FLNC, com negociação suportada com alavancagem entre 1x e 20x

Notícia da Gate 消息, segundo um anúncio oficial da Gate a 18 de maio de 2026

A secção de ações do contrato da Gate será disponibilizada para lançamento a 18 de maio de 2026 às 14:30 (UTC+8) com negociação à vista em tempo real de contratos perpétuos dos seguintes instrumentos: DRAM (ETF de chips de armazenamento de longevidade), HIMS (saúde Hims), SHLD (ETF de tecnologia de defesa do Universo X), IWM (ETF iShares Russell 2000), FLNC (energia Fluens), com liquidação em USDT, oferecendo operações de compra e venda a descoberto com alavancagem de 1-20x.

A DRAM é o primeiro ETF global dedicado exclusivamente a chips de memória, com grandes participações em gigantes do setor como Micron, SK hynix e Samsung Electronics, focando em DRAM, memória flash NAND e memória HBM de alta largura de banda. A HIMS é uma plataforma de telemedicina online nos Estados Unidos. A SHLD acompanha passivamente o índice global de defesa e indústria militar, com forte exposição a empresas de defesa dos EUA. A IWM segue o índice Russell 2000, cobrindo 2000 empresas norte-americanas de crescimento de pequena e média capitalização. A FLNC é a líder global em sistemas de armazenamento de energia, centrando-se em equipamento de armazenamento com baterias de lítio de grande escala.