O ETF de memória da Roundhill dispara 8% em 5 dias, com uma subida superior a 110% desde o lançamento em abril, impulsionado pela procura alimentada pela IA.

DRAM-8,64%
MU-7,61%
SK Hynix-8,33%
SKHY-9,13%
SKHYV-0,98%

O Roundhill Memory ETF (DRAM-US), focado na indústria global de chips de memória, incluindo DRAM, memória de alto débito (HBM), flash NAND e fabricantes de SSD, ganhou mais de 8% nos últimos 5 dias de negociação, impulsionado pelo forte aumento da procura por servidores de IA e pela solidez em grandes posições como a Micron (MU-US) e a SK Hynix. Desde o seu lançamento em abril de 2026, o fundo disparou mais de 110%, tornando-se um dos ETFs temáticos em destaque no rali da infraestrutura de IA.

O ETF tem um portefólio concentrado de apenas 16 ações, com cerca de 230,3 mil milhões de dólares em ativos sob gestão e uma taxa de encargos de 0,65%. As principais posições incluem Micron, SK Hynix, SanDisk (SNDK-US), Samsung Electronics, Seagate Technology (STX-US) e Western Digital (WDC-US). A recente força do fundo reflete uma procura sustentada por chips de memória, à medida que as empresas de tecnologia aceleram a expansão de data centers para IA e o desenvolvimento de modelos de IA continua a acelerar.

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