A 29 de maio, a Samsung Electronics anunciou que começou a enviar amostras de engenharia da primeira HBM4E empilhada em 12 camadas do setor para clientes globais de grande relevância, consolidando ainda mais a sua posição de liderança no mercado de memória HBM de próxima geração. A medida responde ao aumento das exigências de computação para IA, com a Samsung a afirmar que a HBM4E de 12 camadas proporciona melhorias duplas em eficiência energética e desempenho térmico para cumprir os requisitos de computação de alta carga de próxima geração em IA. A base de clientes da Samsung inclui fabricantes de chips de IA como a NVIDIA e a AMD, bem como prestadores de serviços em nuvem como a Google e a Microsoft — todas empresas fundamentais que suportam as necessidades de computação para IA.
Especificações do produto e métricas de desempenho
A HBM4E da Samsung, a quarta geração de memória avançada de alta largura de banda, atinge uma taxa de pinos estável de 14 gigabits por segundo (Gbps), com escalabilidade até 16Gbps para responder à crescente procura por processamento de dados. Em comparação com a Samsung HBM4, o desempenho aumenta em mais de 20%, com a largura de banda máxima por pilha a atingir 3,6 terabytes por segundo (TB/s), para maximizar o desempenho de computação para grandes modelos de linguagem (LLM) e sistemas de IA de próxima geração.
Em termos de capacidade de armazenamento, a HBM4E em 12 camadas da Samsung oferece 48 gigabytes (GB) por pilha, representando um aumento de capacidade de mais de 30% face à geração anterior. A Samsung Electronics afirmou que pretende expandir a linha do produto com base nas necessidades dos clientes, adicionando versões de configuração de 32GB (pilha de 8 camadas) e 64GB (pilha de 16 camadas).
Tecnologia de fabrico e integração de processos
A Samsung Electronics afirmou que a principal vantagem da HBM4E reside na integração total da tecnologia semicondutora de cadeia completa da Samsung, reutilizando e otimizando processos de ponta validados durante a produção em massa de HBM4. O produto utiliza o processo de DRAM de classe de 10 nanómetros da sexta geração mais avançado do setor (processo 1c), em conjunto com a base de wafer de lógica de 4 nanómetros da Samsung Foundry, proporcionando à HBM4E maior estabilidade de processo e capacidade de fabrico.
Eficiência energética e desempenho térmico
As otimizações de design e de processo na arquitetura de armazenamento e de lógica da HBM4E melhoraram o desempenho, a eficiência energética e o rendimento. Em comparação com a HBM4, a HBM4E entrega uma melhoria de eficiência energética de aproximadamente 16% e uma redução de resistência térmica superior a 14%. A Samsung afirmou que estas melhorias permitem uma dissipação de calor mais eficiente, reforçando a fiabilidade operacional de data centers de próxima geração com cargas elevadas, ao mesmo tempo que reduz o consumo de energia.
Calendário de produção e posição no mercado
A Samsung afirmou que iniciará a produção em massa da HBM4E de acordo com os cronogramas dos clientes após concluir a entrega das amostras e a otimização da adaptação por parte dos clientes. A HBM4, lançada em fevereiro deste ano, recebeu grande reconhecimento por parte de clientes globais, com o desempenho e a eficiência energética a serem particularmente bem recebidos.
Desempenho financeiro
A 30 de abril, a Samsung Electronics divulgou resultados do 1.º trimestre, com o lucro operacional final verificado calculado com base em demonstrações financeiras consolidadas a aumentar 756,1% ano contra ano para 57,2328 biliões de won sul-coreano (aproximadamente 263,9 mil milhões de RMB), marcando o segundo trimestre consecutivo com resultados históricos ao nível mais alto de um único trimestre. A divisão de Device Solutions (DS), responsável pelo negócio de semicondutores, impulsionou o crescimento do desempenho global da empresa, alcançando vendas no 1.º trimestre de 81,7 biliões de won e lucro operacional de 53,7 biliões de won — ambos máximos históricos de um único trimestre.
FAQ
Qual é a capacidade da HBM4E da Samsung com 12 camadas?
A HBM4E de 12 camadas da Samsung oferece 48GB por pilha, representando um aumento de capacidade de mais de 30% face à geração anterior. A Samsung planeia adicionar configurações de 32GB (8 camadas) e 64GB (16 camadas) com base nas necessidades dos clientes.
Quão mais rápida é a HBM4E comparada com a HBM4?
A HBM4E oferece uma melhoria de desempenho de mais de 20% em comparação com a HBM4, com uma taxa de pinos estável de 14Gbps escalável para 16Gbps, e com a largura de banda máxima por pilha de memória a atingir 3,6TB/s.
Que processo de fabrico é utilizado pela Samsung para a HBM4E?
A HBM4E utiliza o processo DRAM da sexta geração de classe de 10 nanómetros da Samsung (processo 1c), em conjunto com a base de wafer de lógica de 4 nanómetros da Samsung Foundry.
