De acordo com a BlockBeats, a 21 de julho a Samsung Electronics começou a construir uma linha de produção de ligação híbrida Die-to-Wafer na sua unidade P5, em Pyeongtaek, para suportar a embalagem avançada de próxima geração para semicondutores de HBM e de lógica. A empresa planeia adquirir cerca de 50 sistemas de ligação híbrida ao fabricante holandês de equipamentos Besi.
O analista Jukan, da Citrini, afirmou que a tecnologia de ligação híbrida deverá ser aplicada no acelerador de IA de próxima geração Feynman da Nvidia, que utilizará HBM personalizado. A Samsung prevê internamente iniciar a produção em massa por volta de 2029-2030, alinhando-se com o calendário previsto para o chip Feynman da Nvidia.