A nova geração de memória NAND flash tem uma resistência à radiação 30 vezes maior do que a memória flash tradicional
Georgia Institute of Technology nos Estados Unidos desenvolveu um novo tipo de memória flash ferroelectrica NAND, utilizando material de hafnio oxido compatível com processos de silício, com propriedades ferroelectricas de polarização espontânea e reversível. Essa memória flash possui alta capacidade de processamento de tarefas de IA, resistência a radiação 30 vezes maior do que a memória flash tradicional, podendo suportar até 1 milhão de rad, equivalente a 100 milhões de exposições a raios X. O artigo foi publicado na Nano Letters, demonstrando potencial de aplicação em armazenamento de informações, sensores, IA e chips de baixo consumo energético.