Samsung подала новый патент на HBM для памяти с 12+ слоями 30 июня, повышающий надежность

2026-06-30 10:49:29

По данным BlockBeats со ссылкой на исследователя Citrini Jukan, Samsung Electronics 30 июня подала новый патент на HBM для повышения надежности памяти с высокой степенью укладки (12+ слоев). Патент улучшает структуру верхнего фиктивного кристалла (dummy die) за счет трехъярусного ступенчатого дизайна с изогнутыми поверхностями, используя технологию глубокой резки для уменьшения коробления, растрескивания и расслоения, а также оптимизирует терморегуляцию и чистоту интерфейса склеивания. Инновация ориентирована на продукты HBM5 и 16+ слоев, потенциально повышая процент выхода годных и долгосрочную стабильность.

Посмотреть источник

Дисклеймер: Информация на этой странице может быть получена из источников третьих сторон и предоставляется только для ознакомления. Она не отражает взгляды или мнения Gate и не является финансовой, инвестиционной или юридической рекомендацией. Торговля виртуальными активами связана с высоким риском. Пожалуйста, не основывайте свои решения исключительно на данных этой страницы. Подробнее смотрите в Дисклеймере.

Связанные новости

9ч назад

Samsung, SK Hynix достигли рекордной совокупной доли в 60% в KOSPI 30 июня

9ч назад

Китайская CXMT стала 4-м по величине производителем DRAM в мире, но краткосрочный дефицит предложения вряд ли ослабнет

10ч назад

Samsung, SK Hynix и Micron судят за фиксацию цен на DRAM; цены выросли на 700% за четыре года

15ч назад

Инвестиции Samsung и SK Hynix в полупроводники на сумму 800 триллионов вон показывают, что цифровые активы отстают в конкуренции за капитал, сообщает CoinDesk.

22ч назад

Samsung, SK Hynix и Micron стали ответчиками по иску о предполагаемой манипуляции ценами на DRAM; утверждается, что их доля рынка превышает 90%

Детальный анализ