摩根士丹利支持DRAM胜过NAND,预测NAND需求将在2026年达到400EB

根据摩根士丹利7月2日的报告,内存芯片的投资逻辑正从全面上涨转向结构性分化。该行建议优先考虑DRAM而非NAND Flash,并青睐芯片制造商而非模组厂商。

报告预测,AI驱动的NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB和2027年的609EB,年增长率达60%。这将导致2026年供应短缺15%、2027年短缺9%。DRAM相较NAND有四大优势:成熟的长期协议机制、AI和服务器带来的更强需求可见性、先进制造产能受限限制供应扩张,以及未来潜在的HBM4E生产将进一步收紧供应。

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