九大美国产业公会联名致函川普，AI 抢走 25% DRAM 产能引爆缺料危机

据彭博社报道，汽车、医疗器材、零售、电信在内的九大美国产业公会于 6 月 4 日联名向财政部长和商务部长警告，信中指出：AI 数据中心正在消耗“不成比例的内存芯片产能”，导致内存价格出现前所未有的飙升，同时令制造业与消费端产业的供应急速萎缩。市场分析估计，HBM（高带宽内存）已占 DRAM 整体晶圆产能约 25%。

联名信的具体诉求：确认的三项政府行动方向

依据彭博对这封联名信的报道，九大产业公会要求政府采取的行动包含三个方向：与内存制造商及下游买家合作，在美国本土与友好国家扩建产能；善用贸易协定机制或《芯片法案》框架确保供应链安全；以及明确要求保障政策覆盖范围必须包含消费端与制造业市场，而非仅限于 AI 相关客户。

联名信援引的《芯片法案》是美国 2022 年通过的半导体补贴与本土制造政策，此前主要被用来引导台积电等晶圆厂赴美设厂；产业公会的诉求是将政策力度从 AI 算力端向下延伸至传统制造业和消费端。

三大内存厂的美国产能现况：确认的建厂计划与实际进度

目前，美光（Micron Technology）是美国境内唯一生产内存晶圆的厂商；三星与 SK 海力士的内存晶圆主力产能仍集中在韩国本土。美光正在纽约州与爱荷达州推进新厂计划，但彭博指出这些产能要上线仍需数年时间。

美国商务部长 Howard Lutnick 已对两家韩系厂商施压，要求 SK 海力士与三星在美国境内设厂；三星目前在德州奥斯汀兴建的是逻辑芯片厂，SK 海力士计划在印第安纳州建的是封装厂，两者均非内存晶圆厂。美光与 SK 海力士上月双双突破兆元市值，两家公司股价年初至今涨幅均超过 240%。

常见问题

HBM 和标准 DRAM 为何无法共用同一批晶圆产能？

HBM（高带宽内存）是一种将多层内存晶片垂直堆叠、紧贴 AI 运算芯片放置的特殊结构，生产工序和技术要求与标准 DRAM 不同。三星、SK 海力士和美光为了满足 Nvidia 等 AI 芯片厂商的 HBM 订单，将原本用来生产标准 DRAM 的晶圆产能重新分配，因为 HBM 的利润更高；这直接压缩了可分配给汽车、医疗器材等行业所需标准 DRAM 的供应量。

九大美国产业公会包含哪些具体行业？

源文确认的涵盖行业包括汽车、医疗器材、零售和电信，并描述为“横跨制造与消费端的主要产业”。联名信指出，受波及的不是边缘产业，而是美国经济的核心骨干。

即便三星和 SK 海力士在美建厂，为什么供应缺口短期内无法解决？

三星在德州奥斯汀的建厂项目和 SK 海力士在印第安纳州的计划，均为逻辑芯片厂或封装厂，而非内存晶圆厂，不能直接增加 DRAM 供应。美光在纽约州和爱荷达州的新厂计划是内存晶圆厂，但彭博指出这些产能要实际上线仍需数年时间，在此空窗期内，传统制造业与 AI 大厂争抢内存供应的格局不会改变。