在 5 月 29 日，三星电子宣布已开始向主要全球客户出货业界首款 12 层堆叠式 HBM4E 工程样品，进一步巩固其在下一代高带宽内存（HBM）市场的领先地位。此举旨在应对不断升级的 AI 计算需求，三星表示 12 层 HBM4E 在能效和热性能方面带来双重提升，以满足下一代 AI 高负载计算需求。三星的客户群包括 NVIDIA 和 AMD 等 AI 芯片制造商，以及 Google 和 Microsoft 等云服务提供商——这些都是支撑 AI 计算需求的核心企业。
产品规格与性能指标
三星 HBM4E 作为公司第四代增强型高带宽内存，实现 14Gbps（每秒千兆比特）的稳定引脚速率，并可扩展至 16Gbps，以应对激增的数据处理需求。与三星 HBM4 相比，性能提升超过 20%，单一堆栈的最大内存带宽可达 3.6TB/s，以最大化大型语言模型（LLM）和下一代 AI 系统的计算性能。
在存储容量方面，三星的 12 层 HBM4E 每个堆栈提供 48GB，较上一代容量提升超过 30%。三星电子表示计划根据客户需求扩展产品线，增加 32GB（8 层堆栈）和 64GB（16 层堆栈）的配置版本。
制造技术与工艺集成
三星电子表示，HBM4E 的核心优势在于对三星全链条半导体技术进行全面集成，在 HBM4 大规模量产验证的基础上重复并优化先进工艺。该产品采用业界最先进的第六代 10 纳米级 DRAM 工艺（1c 工艺），并配合三星 Foundry 的 4 纳米逻辑基底晶圆，使 HBM4E 具有更高的工艺稳定性和可制造性。
能效与热性能
HBM4E 的存储与逻辑架构通过设计与工艺优化提升了性能、能效和良率。与 HBM4 相比，HBM4E 的能效提升约 16%，热阻降低超过 14%。三星表示，这些改进有助于更高效地散热，提升高负载下一代数据中心的运行可靠性，同时降低能耗。
量产时间表与市场地位
三星表示，在完成样品交付并进行客户适配优化后，将按照客户日程启动 HBM4E 大规模量产。今年 2 月推出的 HBM4 已获得全球客户高度认可，性能与能效尤其受到好评。
财务表现
4 月 30 日，三星电子披露了 Q1 业绩，最终经核实的营业利润按合并财务报表口径计算同比增长 756.1% 至 57.2328 万亿韩元（约 263.9 亿元人民币），实现连续第二个季度创单季新高。负责半导体业务的 Device Solutions（DS）部门推动了公司整体业绩增长，Q1 销售额为 81.7 万亿韩元，营业利润为 53.7 万亿韩元——两项均创历史最高的单季纪录。
常见问题
三星的 12 层 HBM4E 容量是多少？
三星的 12 层 HBM4E 每个堆栈提供 48GB，较上一代容量提升超过 30%。三星计划根据客户需求增加 32GB（8 层）和 64GB（16 层）配置。
HBM4E 相比 HBM4 快多少？
HBM4E 相比 HBM4 提升超过 20% 的性能，稳定引脚速率为 14Gbps，可扩展至 16Gbps，单一堆栈的最大内存带宽可达 3.6TB/s。
三星为 HBM4E 使用什么制造工艺？
HBM4E 采用三星第六代 10 纳米级 DRAM 工艺（1c 工艺），并配合三星 Foundry 的 4 纳米逻辑基底晶圆。
