据路透社报道，Tower Semiconductor 于 7 月 14 日公布计划，拟投资 30 亿美元用于日本的半导体制造业务，其中包括 10 亿美元的政府资金。第一阶段将大幅扩充其 Fab 6 工厂的 300 毫米硅光子生产能力，预计在 2027 年第四季度实现满产。第二阶段将同步启动，在 Fab 7 旁新建一座 300 毫米光刻设备制造工厂。
免责声明：本页面信息可能来自第三方，仅供参考，不代表 Gate 的观点或意见，亦不构成任何财务、投资或法律建议。数字资产交易风险较高，请勿仅依赖本页面信息作出决策。具体内容详见
声明。
