نيكاي 225 يستعيد مستوى 70,000 بفضل قوة أسهم أشباه الموصلات

JPN225%0.82-

ارتفعت الأسهم اليابانية في 6 يوليو، حيث اكتسب مؤشر نيكاي 225 482.03 نقطة (0.69%) ليصل إلى 70,226.10 بحلول الساعة 9:14 صباحاً، مدعوماً بقوة في بعض أسهم أشباه الموصلات. واستعاد المؤشر مستوى 70,000 بعد أن انخفض إلى 68,000 الأسبوع الماضي. أظهر المستثمرون الأفراد نزعة لشراء الصفقات الرخيصة مع التركيز على أسهم الذكاء الاصطناعي وأشباه الموصلات، بينما بقيت الأسواق الأميركية مغلقة في 3 يوليو بمناسبة عيد الاستقلال.

ارتفع مؤشر توبيكس 24.85 نقطة (0.61%) إلى 4,089.45 خلال الفترة الزمنية نفسها.

ارتفاع طوكيو إلكترون وأدفانتست بينما انخفاض مجموعة سوفت بنك

شهدت طوكيو إلكترون وأدفانتست مكاسب طفيفة في التداولات المبكرة في 6 يوليو. انخفضت مجموعة سوفت بنك وكيوكسيا بسبب جني الأرباح، مما خلق تبايناً داخل أسهم أشباه الموصلات. لاحظ المشاركون في السوق أن استمرار توجه الاستثمار نحو الذكاء الاصطناعي وأشباه الموصلات قد يواصل دعم الأسهم اليابانية.

مايكرون تقيم حفلاً لوضع حجر الأساس في هيروشيما لإنتاج HBM بحلول 2028

أقامت مايكرون تكنولوجي ووزارة الاقتصاد والتجارة والصناعة اليابانية حفلاً لوضع حجر الأساس في محافظة هيروشيما خلال عطلة نهاية الأسبوع لمنشآت إنتاج جديدة. ستبدأ مايكرون إنتاج ذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM) وأشباه موصلات ذاكرة متقدمة أخرى في المنشأة بدءاً من 2028، بدعم من الحكومة اليابانية.

تخطط CXMT الصينية لاستثمارات كبيرة في المعدات في شنغهاي هذا العام، مدعومة بالسياسات الحكومية والدعم المالي.

سعر صرف الدولار مقابل الين يتداول عند 161.535 وسط تكهنات بالتدخل

ارتفع سعر صرف الدولار مقابل الين بنسبة 0.11% ليصل إلى 161.535 ين بحلول الساعة 9:14 صباحاً في 6 يوليو. عاد السعر إلى مستوى 161 ين في 3 يوليو بعد أن انخفض لفترة وجيزة إلى 160 ين الأسبوع الماضي. يراقب المشاركون في السوق عن كثب ما إذا كانت الحكومة اليابانية ستتدخل في سوق الصرف الأجنبي.

الأسئلة الشائعة

ما المستوى الذي بلغه مؤشر نيكاي 225 في 6 يوليو؟ ارتفع مؤشر نيكاي 225 بمقدار 482.03 نقطة (0.69%) ليصل إلى 70,226.10 بحلول الساعة 9:14 صباحاً في 6 يوليو، مستعيداً مستوى 70,000 بعد انخفاضه إلى 68,000 الأسبوع الماضي.

متى ستبدأ مايكرون إنتاج HBM في هيروشيما؟ ستبدأ مايكرون الإنتاج المرحلي لذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM) وأشباه موصلات ذاكرة متقدمة أخرى في منشأتها في هيروشيما بدءاً من 2028، وذلك بعد حفل وضع حجر الأساس الذي أقيم خلال عطلة نهاية الأسبوع مع وزارة الاقتصاد والتجارة والصناعة اليابانية.

إخلاء المسؤولية: قد تكون المعلومات الواردة في هذه الصفحة مستمدة من مصادر خارجية وهي للمرجعية فقط. لا تمثل هذه المعلومات آراء أو وجهات نظر Gate ولا تشكل أي نصيحة مالية أو استثمارية أو قانونية. ينطوي تداول الأصول الافتراضية على مخاطر عالية. يرجى عدم الاعتماد حصرياً على المعلومات الواردة في هذه الصفحة عند اتخاذ القرارات. لمزيد من التفاصيل، يرجى الرجوع على إخلاء المسؤولية.
تعليق
0/400
لا توجد تعليقات