في 29 مايو، أعلنت شركة سامسونغ إلكترونيكس أنها بدأت شحن عينات هندسية من أول ذاكرة HBM4E ثلاثية الأبعاد طبقات بواقع 12 طبقة في الصناعة إلى عملاء عالميين كبار، بما يعزز موقعها الريادي في سوق ذاكرة النطاق العالي للجيل التالي (HBM). وتهدف هذه الخطوة إلى تلبية الطلب المتزايد على الحوسبة المرتكزة على الذكاء الاصطناعي؛ إذ قالت سامسونغ إن HBM4E ذات 12 طبقة توفر تحسينين متزامنين في كفاءة الطاقة والأداء الحراري لتلبية متطلبات الحوسبة عالية الأحمال للذكاء الاصطناعي في الجيل التالي. ويشمل نطاق عملاء سامسونغ مصنّعي شرائح الذكاء الاصطناعي مثل NVIDIA وAMD، إضافة إلى مزودي خدمات سحابية مثل Google وMicrosoft، وهي شركات أساسية تدعم احتياجات الحوسبة بالذكاء الاصطناعي.
مواصفات المنتج ومؤشرات الأداء
تصل ذاكرة سامسونغ HBM4E، وهي الذاكرة المُحسّنة عالية النطاق الترددي من الجيل الرابع، إلى معدل ثبات في معدل الدبابيس يبلغ 14 جيجابت في الثانية (Gbps)، مع قابلية للتوسع إلى 16Gbps لتلبية متطلبات معالجة البيانات المتزايدة. وبالمقارنة مع HBM4 من سامسونغ، ترتفع الأداءات بأكثر من 20%، مع وصول عرض نطاق الذاكرة الأقصى في شريحة واحدة إلى 3.6 تيرابايت في الثانية (TB/s) لتعظيم أداء الحوسبة للنماذج اللغوية الكبيرة (LLM) وأنظمة الذكاء الاصطناعي في الجيل التالي.
ومن حيث سعة التخزين، توفر HBM4E ذات 12 طبقة من سامسونغ 48 جيجابت في الثانية (GB) لكل رصّة، ما يمثل زيادة تتجاوز 30% في السعة مقارنة بالجيل السابق. وأعلنت سامسونغ إلكترونيكس أنها تخطط لتوسيع خط الإنتاج بناءً على احتياجات العملاء، عبر إضافة نسخ تكوين بسعة 32GB (رصّة 8 طبقات) و64GB (رصّة 16 طبقة).
تكنولوجيا التصنيع ودمج العمليات
قالت سامسونغ إلكترونيكس إن الميزة الأساسية لـHBM4E تكمن في دمج تكنولوجيا أشباه الموصلات المتكاملة بالكامل التابعة لسامسونغ ضمن سلسلة الإنتاج بأكملها؛ مع إعادة استخدام العمليات المتقدمة وتحسينها بعد التحقق منها خلال الإنتاج الضخم لـHBM4. ويعتمد المنتج على عملية DRAM من الجيل السادس الأكثر تقدماً من فئة 10 نانومتر (عملية 1c)، مقترنة بقاعدة رقاقة منطقية بأساس 4 نانومترات من Samsung Foundry، ما يمنح HBM4E استقراراً أعلى للعملية وقابلية تصنيع أفضل.
كفاءة الطاقة والأداء الحراري
أدت التحسينات في التصميم وعمليات التصنيع على بنية التخزين والمنطق في HBM4E إلى تحسين الأداء وكفاءة الطاقة ومعدل العائد. وبالمقارنة مع HBM4، توفر HBM4E تحسناً يقارب 16% في كفاءة الطاقة وتقلل المقاومة الحرارية بأكثر من 14%. وقالت سامسونغ إن هذه التحسينات تساعد على تبديد الحرارة بكفاءة أعلى، وتعزز موثوقية التشغيل لدى مراكز بيانات الجيل التالي عالية الأحمال، مع تقليل استهلاك الطاقة.
جدول الإنتاج والوضع في السوق
قالت سامسونغ إنها ستبدأ الإنتاج الضخم لـHBM4E وفق جداول عملاء محددة بعد إتمام تسليم العينات وتحسين تكيف العملاء. وكانت HBM4 قد أُطلقت في فبراير من هذا العام، وقد حظيت بتقدير مرتفع لدى العملاء العالميين، مع استقبال جيد بشكل خاص من حيث الأداء وكفاءة الطاقة.
الأداء المالي
في 30 أبريل، كشفت سامسونغ إلكترونيكس نتائج الربع الأول، حيث ارتفع الربح التشغيلي النهائي المُتحقق به وفقاً لأساس بيان مالي موحد بنسبة 756.1% على أساس سنوي إلى 57.2328 تريليون وون كوري (ما يقارب 263.9 مليار رنمينبي)، مسجلاً الربع الثاني على التوالي من النتائج الأعلى رقماً على مستوى الربع الواحد. ودفعت وحدة حلول الأجهزة (DS)، المسؤولة عن أعمال أشباه الموصلات، نمو أداء الشركة الإجمالي، محققة مبيعات في الربع الأول بلغت 81.7 تريليون وون وربحاً تشغيلياً بلغ 53.7 تريليون وون—وكلاهما أعلى مستويات تاريخية للربع الواحد.
الأسئلة الشائعة
ما سعة ذاكرة Samsung HBM4E ذات 12 طبقة؟
توفر HBM4E ذات 12 طبقة من سامسونغ 48GB لكل رصّة، ما يمثل زيادة تتجاوز 30% في السعة مقارنة بالجيل السابق. وتخطط سامسونغ لإضافة نسخ بسعة 32GB (رصّة 8 طبقات) و64GB (رصّة 16 طبقة) بناءً على احتياجات العملاء.
كم هي أسرع HBM4E مقارنة بـHBM4؟
تقدم HBM4E تحسناً في الأداء بأكثر من 20% مقارنة بـHBM4، مع معدل دبابيس ثابت يبلغ 14Gbps قابل للتوسع إلى 16Gbps، ويصل عرض نطاق أقصى للذاكرة في شريحة واحدة إلى 3.6TB/s.
ما عملية التصنيع التي تستخدمها سامسونغ لـHBM4E؟
تستخدم HBM4E عملية DRAM من الجيل السادس من فئة 10 نانومتر (عملية 1c) من سامسونغ، مقترنة بقاعدة رقاقة منطقية بأساس 4 نانومترات من Samsung Foundry.
