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Samsung déploiera une technologie de 2 nm pour la mémoire IA HBM5, 50 % plus rapide que la HBM4E

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2026-07-27 03:36:47

Samsung Electronics1,80%

D’après Chosun Daily, le 27 juillet, Samsung Electronics a annoncé son intention d’utiliser son procédé de 2 nanomètres pour la puce de base de sa huitième génération de mémoire à large bande passante (HBM5). La société a indiqué que la HBM5 traitera les données avec plus de 50 % de rapidité par rapport aux puces actuelles HBM4E, en s’appuyant sur une puce de base 2 nm Gate-All-Around et sur des voies de traversée améliorées (TSV) afin d’accroître la vitesse et l’efficacité énergétique.

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