Pada 29 Mei, Samsung Electronics mengumumkan telah mulai mengirim sampel rekayasa dari HBM4E bertumpuk 12-lapis pertama di industri ke pelanggan global utama, sekaligus semakin mengukuhkan posisinya sebagai yang terdepan di pasar memori berbandwidth tinggi generasi berikutnya (HBM). Langkah ini menjawab meningkatnya kebutuhan komputasi AI. Samsung menyatakan HBM4E 12-lapis menghadirkan peningkatan ganda dalam efisiensi energi dan performa termal untuk memenuhi kebutuhan komputasi AI high-load generasi berikutnya. Basis pelanggan Samsung mencakup produsen chip AI seperti NVIDIA dan AMD, serta penyedia layanan cloud seperti Google dan Microsoft—semua merupakan perusahaan inti yang mendukung kebutuhan komputasi AI.
Spesifikasi Produk dan Metrik Kinerja
Samsung HBM4E, memori berbandwidth tinggi enhanced generasi keempat perusahaan, mencapai laju pin yang stabil sebesar 14 gigabit per detik (Gbps) dengan skalabilitas hingga 16Gbps untuk mengatasi lonjakan kebutuhan pemrosesan data. Dibandingkan Samsung HBM4, kinerjanya meningkat lebih dari 20%, dengan bandwidth memori maksimum per tumpukan tunggal mencapai 3,6 terabytes per detik (TB/s) untuk memaksimalkan performa komputasi bagi model bahasa besar (LLM) dan sistem AI generasi berikutnya.
Untuk kapasitas penyimpanan, Samsung HBM4E 12-lapis menawarkan 48 gigabytes (GB) per tumpukan, yang berarti peningkatan kapasitas lebih dari 30% dibanding generasi sebelumnya. Samsung Electronics menyatakan berencana memperluas lini produk sesuai kebutuhan pelanggan, dengan menambahkan versi konfigurasi 32GB (tumpukan 8-lapis) dan 64GB (tumpukan 16-lapis).
Teknologi Manufaktur dan Integrasi Proses
Samsung Electronics menyatakan keunggulan inti HBM4E terletak pada integrasi penuh teknologi semikonduktor full-chain milik Samsung, dengan penggunaan ulang dan optimalisasi proses mutakhir yang telah divalidasi pada produksi massal HBM4. Produk ini memakai proses DRAM kelas 10-nanometer generasi keenam paling canggih di industri (proses 1c), dipasangkan dengan wafer dasar logika 4-nanometer dari Samsung Foundry, sehingga HBM4E memiliki stabilitas proses dan kemudahan manufaktur yang lebih tinggi.
Efisiensi Energi dan Performa Termal
Optimasi desain dan proses pada arsitektur penyimpanan serta logika HBM4E telah meningkatkan performa, efisiensi energi, dan hasil (yield). Dibandingkan HBM4, HBM4E memberikan peningkatan efisiensi energi sekitar 16% dan penurunan resistansi termal lebih dari 14%. Samsung menyatakan peningkatan ini memungkinkan pembuangan panas yang lebih efisien, meningkatkan keandalan operasional pusat data next-generation high-load sekaligus mengurangi konsumsi energi.
Jadwal Produksi dan Posisi Pasar
Samsung menyatakan akan memulai produksi massal HBM4E sesuai jadwal pelanggan setelah menyelesaikan pengiriman sampel dan optimalisasi adaptasi dari pelanggan. HBM4, yang diluncurkan pada Februari tahun ini, telah mendapat pengakuan tinggi dari pelanggan global, dengan performa dan efisiensi energi yang terutama mendapat respons baik.
Kinerja Keuangan
Pada 30 April, Samsung Electronics mengungkapkan hasil Q1, dengan laba operasi yang diverifikasi penuh yang dihitung berdasarkan basis laporan keuangan konsolidasian meningkat 756,1% year-over-year menjadi 57,2328 triliun won Korea (sekitar 263,9 miliar RMB), sekaligus menandai kuartal kedua berturut-turut dengan hasil rekor tertinggi untuk satu kuartal. Divisi Device Solutions (DS) yang menangani bisnis semikonduktor mendorong pertumbuhan kinerja perusahaan secara keseluruhan, mencapai penjualan Q1 sebesar 81,7 triliun won dan laba operasi 53,7 triliun won—keduanya merupakan rekor tertinggi untuk satu kuartal secara historis.
FAQ
Berapa kapasitas Samsung HBM4E 12-lapis?
Samsung HBM4E 12-lapis menawarkan 48GB per tumpukan, yang mewakili peningkatan kapasitas lebih dari 30% dibanding generasi sebelumnya. Samsung berencana menambahkan konfigurasi 32GB (8-lapis) dan 64GB (16-lapis) berdasarkan kebutuhan pelanggan.
Seberapa lebih cepat HBM4E dibanding HBM4?
HBM4E memberikan peningkatan performa lebih dari 20% dibanding HBM4, dengan laju pin yang stabil sebesar 14Gbps yang dapat ditingkatkan hingga 16Gbps, serta bandwidth memori maksimum per tumpukan tunggal mencapai 3,6TB/s.
Proses manufaktur apa yang digunakan Samsung untuk HBM4E?
HBM4E menggunakan proses DRAM kelas 10-nanometer generasi keenam Samsung (proses 1c) yang dipasangkan dengan wafer dasar logika 4-nanometer dari Samsung Foundry.
