A CXMT da China testa linha de DRAM com ligação híbrida sem EUV, supostamente à frente da Samsung e da SK Hynix

De acordo com relatos da imprensa coreana, a CXMT, da China, está a testar uma linha de produção de DRAM ligada (bonded DRAM) em Hefei que contorna a litografia EUV ao utilizar apenas tecnologia de exposição ultravioleta profunda (DUV). A DRAM ligada separa as matrizes de memória e os circuitos periféricos em diferentes bolachas (wafers) antes de as unir, permitindo uma produção de ultra-alta densidade sem equipamento EUV. Avaliações coreanas sugerem que a CXMT pode liderar a Samsung Electronics e a SK Hynix — que estão a desenvolver tecnologias semelhantes no âmbito do projeto "B1b" da Samsung e dos esforços paralelos da SK Hynix — tanto em capacidade tecnológica como em velocidade de desenvolvimento.
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