A Samsung aplica o processo de 2 nm à base die do HBM5 para um aumento de velocidade de 50%.

A Samsung Electronics anunciou no dia 27 que irá aplicar um processo de fundição de 2 nanómetros com a estrutura Gate-All-Around (GAA) na die base do HBM5, a próxima geração de High Bandwidth Memory. A empresa afirmou, através da sua sala de imprensa de semicondutores, que a velocidade de operação do HBM5 é esperada ser mais de 50% superior à da geração anterior HBM4E e que está a preparar processos de ponta para melhorar a velocidade e a eficiência energética. A die base é um semicondutor lógico localizado na parte inferior da estrutura em pilha (stack) do HBM, que liga dados entre processadores externos como GPUs e CPUs e o HBM. Desde que o HBM4 começou a usar processos de fundição, esta componente surgiu como um elemento central que determina o desempenho global do produto e a eficiência energética.

Samsung enviou HBM4 e HBM4E com processo de 4 nm

A Samsung Electronics enviou em fevereiro o primeiro HBM4 do mundo para produção em massa, seguido de amostras HBM4E de 12 camadas em maio. As die base do HBM4 e do HBM4E utilizam o processo de 4 nanómetros, 4.ª geração, da Samsung Foundry, que já entrou no seu terceiro ano de produção em massa.

Samsung aplicou dispositivos de alta densidade e de desempenho ultraelevado à die base do HBM4E

Gu Ja-heum, vice-presidente e responsável pela área de desenvolvimento tecnológico na Samsung Electronics Foundry Business, explicou que foram aplicados dispositivos de alta densidade e dispositivos de desempenho ultraelevado na die base do HBM4E para alcançar operação a alta velocidade de 14 Gbps ou mais. As camadas de metalização foram organizadas de forma eficiente para reduzir o consumo de energia, e os caminhos de dissipação de calor foram também otimizados.

Samsung destaca capacidade “turnkey” que integra memória, fundição e embalamento

A Samsung Electronics salientou a sua capacidade “turnkey”, que integra internamente memória, fundição e embalamento avançado. A estrutura envolve a área de Memória, que produz as die base, a área de Fundição, que produz as die base, e a organização de embalamento, que as monta em produtos finais. Segundo a empresa, isto permite uma otimização conjunta de velocidade, potência, calor e rendimento desde a fase de conceção. A Samsung afirmou que, durante o desenvolvimento da die base do HBM4, foi criada uma força-tarefa entre divisões, atingindo metas de desempenho e rendimento desde a primeira amostra, sendo necessários aproximadamente três meses desde a preparação do processo até à confirmação do resultado.

Samsung iniciou produção de 2 nm e planeia lançar um produto móvel 2 nm de 2.ª geração

A Samsung Electronics está a expandir as áreas de aplicação dos processos avançados de fundição, passando de dispositivos móveis para IA, computação de alto desempenho (HPC), automóvel e robótica. A empresa iniciou a produção em massa do seu processo de 2 nanómetros de 1.ª geração na segunda metade do ano passado. Na segunda metade deste ano, planeia começar a produção em massa de produtos móveis baseados no processo de 2 nanómetros de 2.ª geração, com rendimento e desempenho melhorados. Além disso, a Samsung está a expandir soluções “one-stop” que ligam o embalamento avançado e o HBM e a desenvolver tecnologia com base em fotónica de silício e optics empacotadas em conjunto (CPO) para centros de dados. Com base na experiência da die base de 4 nanómetros acumulada com o HBM4, a Samsung planeia aplicar proativamente o processo de 2 nanómetros ao HBM5 para reforçar a sua liderança tecnológica no mercado de semicondutores para IA.

Perguntas Frequentes

Que processo de fundição é que a Samsung vai aplicar na die base do HBM5?

A Samsung Electronics anunciou no dia 27 que irá aplicar um processo de fundição de 2 nanómetros com a estrutura Gate-All-Around (GAA) na die base do HBM5. A empresa afirmou que a velocidade de operação do HBM5 é esperada ser mais de 50% superior à do HBM4E.

Quando é que a Samsung enviou os produtos HBM4 e HBM4E?

A Samsung Electronics enviou em fevereiro o primeiro HBM4 do mundo para produção em massa e enviou amostras HBM4E de 12 camadas em maio. As die base de ambos os produtos utilizam o processo de 4 nanómetros, 4.ª geração, da Samsung Foundry.

Qual é o calendário de produção da Samsung para o processo de 2 nm?

A Samsung Electronics iniciou a produção em massa do seu processo de 2 nanómetros de 1.ª geração na segunda metade do ano passado. A empresa planeia começar a produção em massa de produtos móveis baseados no processo de 2 nanómetros de 2.ª geração, com rendimento e desempenho melhorados, na segunda metade deste ano.