DRAM

Preço Roundhill Memory ETF

Fechada
DRAM
€45,29
-€1,89(-4,00%)

*Dados atualizados pela última vez: 2026-05-23 07:44 (UTC+8)

Em 2026-05-23 07:44, o Roundhill Memory ETF (DRAM) está cotado a €45,29, com uma capitalização de mercado total de €2,10B, um Índice P/L de 0,00 e um rendimento de dividendo de 0,00%. Hoje, o preço das ações oscilou entre €45,20 e €46,79. O preço atual está 0,09% acima do mínimo do dia e 3,20% abaixo do máximo do dia, com um volume de negociação de 20,84M. Ao longo das últimas 52 semanas, DRAM esteve em negociação entre €40,02 e €47,20, estando atualmente a -4,10% do máximo das 52 semanas.

Estatísticas principais de DRAM

Fecho de ontem€46,84
Capitalização de mercado€2,10B
Volume20,84M
Índice P/L0,00
Rendimento de Dividendos (TTM)0,00%
Rendimento líquido (exercício financeiro)€0,00
Receita (exercício financeiro)€0,00
Estimativa de receita€0,00
Ações em circulação44,91M
Beta (1A)0

Sobre DRAM

A DRAM procura oferecer aos investidores uma exposição direcionada à indústria global de memória de semicondutores. A construção do portefólio visa enfatizar empresas líderes de mercado com uma participação significativa de mercado e receita em produtos de memória de semicondutores e tecnologias relacionadas. Os produtos de memória incluem memória de alta largura de banda, memória de acesso aleatório dinâmico (DRAM), memória flash NAND e unidades de estado sólido que utilizam tecnologia NAND, memória flash NOR, unidades de disco rígido e soluções de memória especializadas ou incorporadas. Este foco visa proporcionar uma exposição direcionada a grandes capitais, considerada fundamental para impulsionar o uso de IA. Para seguir a sua estratégia de investimento ativa, o fundo pode deter ações ou derivados, como swaps ou contratos a termo. Os pesos do portefólio baseiam-se numa metodologia de capitalização de mercado modificada, sujeita a um limite de 25% para qualquer empresa individual, refletindo a avaliação dos consultores sobre a quota de mercado e receita de cada empresa no setor de memória. O reequilíbrio ocorre pelo menos trimestralmente.
SetorServiços Financeiros
IndústriaGestão de Ativos
SedeNew York,NY,US

Saiba mais sobre Roundhill Memory ETF (DRAM)

Perguntas Frequentes sobre Roundhill Memory ETF (DRAM)

Qual é o preço das ações de Roundhill Memory ETF (DRAM) hoje?

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Roundhill Memory ETF (DRAM) está atualmente a negociar a €45,29, com uma variação de 24h de -4,00%. O intervalo de negociação das últimas 52 semanas é de €40,02–€47,20.

Quais são os preços máximo e mínimo das últimas 52 semanas para Roundhill Memory ETF (DRAM)?

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Qual é o índice preço-lucro (P/L) de Roundhill Memory ETF (DRAM)? O que indica este valor?

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Qual é a capitalização de mercado de Roundhill Memory ETF (DRAM)?

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Qual é o lucro por ação (EPS) trimestral mais recente de Roundhill Memory ETF (DRAM)?

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Deve comprar ou vender Roundhill Memory ETF (DRAM) agora?

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Que fatores podem influenciar o preço das ações da Roundhill Memory ETF (DRAM)?

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Como comprar ações da Roundhill Memory ETF (DRAM)?

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Aviso de Risco

O mercado de ações envolve um elevado nível de risco e volatilidade de preços. O valor do seu investimento pode aumentar ou diminuir, e poderá não recuperar o montante total investido. O desempenho passado não é um indicador fiável de resultados futuros. Antes de tomar qualquer decisão de investimento, deve avaliar cuidadosamente a sua experiência de investimento, situação financeira, objetivos de investimento e tolerância ao risco, bem como realizar a sua própria pesquisa. Sempre que apropriado, consulte um consultor financeiro independente.

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Últimas Notícias Roundhill Memory ETF (DRAM)

2026-05-19 03:37A área de ações dos contratos CFD da Gate já disponibilizou 53 pares de negociação, com alavancagem fixa de 4xNotícia da Gate: mensagem da Gate, conforme o anúncio oficial da Gate A secção de ações com contratos CFD da Gate já está em funcionamento com 53 pares de negociação de CFD, oferecendo uma alavancagem fixa de 4x. Os pares lançados incluem SHLD (GLOBAL X ETF de Defesa e Tecnologia), DRAM (ETF de Memória da Roundhill), GME (GameStop), NBIX (Neurocrine Biosciences), BAX (Butter International), KMI (Kindel Morgan), CFG (Citizen Financial Group), Z (grupo Zillow), DVN (energia Devon), ADP (Automatic Data Processing) e outros. A quantidade mínima de ordem para cada par é de 0,1. Os contratos CFD são derivados de contratos por diferença de ativos financeiros tradicionais, abrangendo metais, câmbio, índices, matérias-primas e ações americanas populares.2026-05-18 06:25A secção de contratos de ações da Gate será lançada a 18 de maio com contratos perpétuos de DRAM, HIMS, SHLD, IWM e FLNC, com negociação suportada com alavancagem entre 1x e 20xNotícia da Gate 消息, segundo um anúncio oficial da Gate a 18 de maio de 2026 A secção de ações do contrato da Gate será disponibilizada para lançamento a 18 de maio de 2026 às 14:30 (UTC+8) com negociação à vista em tempo real de contratos perpétuos dos seguintes instrumentos: DRAM (ETF de chips de armazenamento de longevidade), HIMS (saúde Hims), SHLD (ETF de tecnologia de defesa do Universo X), IWM (ETF iShares Russell 2000), FLNC (energia Fluens), com liquidação em USDT, oferecendo operações de compra e venda a descoberto com alavancagem de 1-20x. A DRAM é o primeiro ETF global dedicado exclusivamente a chips de memória, com grandes participações em gigantes do setor como Micron, SK hynix e Samsung Electronics, focando em DRAM, memória flash NAND e memória HBM de alta largura de banda. A HIMS é uma plataforma de telemedicina online nos Estados Unidos. A SHLD acompanha passivamente o índice global de defesa e indústria militar, com forte exposição a empresas de defesa dos EUA. A IWM segue o índice Russell 2000, cobrindo 2000 empresas norte-americanas de crescimento de pequena e média capitalização. A FLNC é a líder global em sistemas de armazenamento de energia, centrando-se em equipamento de armazenamento com baterias de lítio de grande escala.2026-05-18 06:11A Nvidia vai ultrapassar a Apple como o maior utilizador de LPDDR até 2027, com capacidade para atingir 6,041 mil milhões de GBDe acordo com a Hana Securities e a Citrini Research, a Nvidia deverá tornar-se no maior utilizador de DRAM de baixo consumo (LPDDR) em 2027, impulsionada pela forte procura de servidores para IA. A capacidade de LPDDR da Nvidia é estimada em 3,144 mil milhões de GB em 2026, aumentando para 6,041 mil milhões de GB em 2027, ultrapassando a Apple e a Samsung Electronics e representando 36% do total global de fornecimento. Os analistas atribuíram a mudança a sistemas de IA mais recentes como a Vera Rubin da Nvidia, que consomem significativamente mais memória do que os dispositivos tradicionais.2026-05-16 15:21O investidor de retalho compra 55 unidades de um novo ETF de memória de IA no dia 11 de maio, alocando 7% da carteira à DRAMEm 11 de maio, Brian Emes, um gestor de loja de retalho de 43 anos em Lethbridge, Alberta, comprou 55 ações do Roundhill Memory ETF (DRAM), que tinha sido lançado apenas no início de abril. A posição representa agora aproximadamente 7% da sua carteira, tornando-se uma aposta concentrada em ações de inteligência artificial e em chips de memória. Emes fez a compra com base em discussões em fóruns do Reddit e em vídeos do YouTube que destacavam a procura impulsionada por IA por chips de memória, vendo-a como uma oportunidade de negócio que não podia dar ao luxo de perder.2026-05-15 12:58A evolução dos agentes de IA impulsiona a escassez de DRAM para 30-50%, prevendo-se uma próxima subida de preços em 2027: Guotai HaitongDe acordo com o Guru Club, a 15 de maio, a investigação da Guotai Haitong Securities concluiu que a inflação nas cadeias de abastecimento impulsionada por IA está a remodelar a alocação de semicondutores. As tradicionais falhas de abastecimento de DRAM atingiram 30-50%, com os preços a disparar à medida que os aceleradores de IA competem pelos recursos de HBM. Entretanto, a Amazon AWS e a Google Cloud romperam a queda de preços de duas décadas para aumentar as taxas, sinalizando que a pressão de custos está a passar para a frente, chegando aos consumidores. A evolução do AI Agent, de chat para ação, deverá despoletar o próximo ciclo de inflação. O consumo de tokens disparou 300 vezes entre 2024-2025, com cada tarefa do Agent a exigir dezenas de vezes mais computação de back-end do que um chat regular. Isto vai impulsionar um crescimento exponencial da procura de HBM, mas a expansão da oferta enfrenta gargalos relacionados com o consumo de wafers e limitações de rendimento, não se esperando um alívio significativo da capacidade antes de 2027-2028.

Publicações em alta sobre Roundhill Memory ETF (DRAM)

LittleGodOfWealthPlutus

LittleGodOfWealthPlutus

4 Horas atrás
#TradFi交易分享挑战 Análise do mercado de ações da Micron (MU) hoje 1. Tendência do mercado: Correção em alta, liquidez ainda em níveis históricos Até o fechamento das ações nos EUA em 22 de maio de 2026, a Micron Technology (MU) fechou a US$ 751,00 por ação, uma queda de 1,46% no dia, com um volume de negócios de US$ 27,409 bilhões, liderando o volume de negociações do dia na bolsa americana, com um volume de 36 milhões de ações e uma taxa de troca de 3,19%, indicando liquidez extremamente forte. O preço atingiu um máximo intradiário de US$ 780,20 e um mínimo de US$ 747,20, formando um padrão de “abertura alta, queda após pico”, continuando a forte volatilidade desde março de 2026. Apesar de o preço ter recuado cerca de 6% em relação ao pico temporário acima de US$ 800 no início de maio, ele ainda opera acima da média móvel de 200 dias (cerca de US$ 730), sem romper a tendência de médio prazo. A demanda de mercado por memória AI ainda mantém preços elevados, com fundos ainda apostando em níveis altos, mas a pressão de realização de lucros de curto prazo começa a se manifestar, levando a uma correção técnica no preço. 2. Indicadores técnicos: Sinal de sobrevenda emergente, tendência ainda predominantemente baixista ‌RSI (14)‌: em 32,08, entrando na zona de sobrevenda (<30), indicando que a pressão de venda de curto prazo foi parcialmente aliviada, o sentimento do mercado tende a ficar pessimista, mas ainda não há reversão de candles ou estabilização com volume, apenas uma condição potencial para uma recuperação técnica. ‌MACD (12,26,9)‌: barra de -20,37, com a linha DIF permanecendo abaixo do eixo zero, o momentum de baixa ainda domina, sem sinal de cruzamento de alta, a tendência de curto prazo ainda não se inverte. ‌Bandas de Bollinger‌: o preço está próximo da banda inferior, com a largura das bandas em expansão, refletindo alta volatilidade, indicando que o mercado oscila intensamente entre “expectativas de alta valorização” e “pressão de correção de curto prazo”, sem direção clara. ‌Sistema de médias móveis‌: o preço ainda está acima da média móvel de 200 dias (cerca de US$ 730), mas as médias de 5 e 10 dias formaram um cruzamento de morte, indicando uma mudança de tendência de alta para baixa no curto prazo, enquanto a linha de defesa de médio prazo ainda não foi rompida. Avaliação técnica principal: sobrevenda de curto prazo, tendência de médio prazo inclinada para baixa, tendência não rompida, aguardando sinais de estabilização. 3. Níveis de suporte e resistência chave ‌Suportes‌: ‌Primeiro suporte‌: US$ 747,20, o ponto mais baixo do dia anterior, é o divisor de águas de curto prazo entre alta e baixa, uma quebra pode intensificar a venda técnica; ‌Segundo suporte‌: US$ 730–735, correspondente à média móvel de 200 dias e à zona de negociação intensa de abril de 2026, é a principal linha de defesa de médio prazo para o mercado de alta, sua perda abriria espaço para queda até US$ 700; ‌Suporte forte‌: US$ 700, que foi o ponto de partida do ciclo de alta iniciado em dezembro de 2025, possui significado psicológico de longo prazo. ‌Resistências‌: ‌Primeira resistência‌: US$ 780,20, a máxima do dia anterior, é o principal objetivo de uma recuperação de curto prazo, requer volume de compra para ser superada; ‌Segunda resistência‌: US$ 800, um ponto de resistência psicológico e de preço-alvo de instituições, sua quebra reacenderia a confiança dos compradores; ‌Resistência forte‌: US$ 840–850, faixa de preço definida por várias instituições (como o Citibank), é o objetivo final de médio prazo para o mercado de alta. 4. Perspectivas futuras: Alta volatilidade na superciclo de armazenamento AI ‌Curto prazo (1–5 dias de negociação)‌: o preço provavelmente oscilará entre US$ 730 e US$ 780, dependendo de duas variáveis principais: primeiro, se clientes de AI como Nvidia e AMD liberarão novos pedidos de HBM; segundo, a reprecificação do mercado antes da reunião de política do Federal Reserve em junho. Se ocorrerem anúncios de compras acima do esperado ou o índice do dólar recuar, a MU poderá reagir rapidamente e desafiar US$ 780; se não houver novos catalisadores ou o apetite ao risco diminuir, o preço pode cair até o suporte de US$ 730. ‌Médio prazo (1–3 meses)‌: a lógica central continua sendo a escassez estrutural de memória impulsionada por AI. Goldman Sachs, UBS e outras instituições indicam que, em 2026, o déficit de oferta e demanda de HBM, DRAM e NAND será superior a 4%, o maior em 15 anos. Os produtos HBM da Micron estão esgotados até o final de 2026, com a produção de HBM4 prestes a começar, e a expansão de capacidade está muito acima das expectativas do setor. Essa combinação de “rigidez de oferta + explosão de demanda” faz da Micron uma peça central na infraestrutura de AI, com uma reestruturação do seu sistema de avaliação. ‌Lógica de longo prazo‌: como uma das três maiores gigantes de armazenamento globais, a Micron é a única que ainda não foi profundamente penetrada por capitais chineses, e sua estratégia tecnológica, clientes (Nvidia, AMD, Microsoft) e intensidade de investimentos a tornam indispensável na era da AI. Mesmo com volatilidade acentuada no curto prazo, os investidores de longo prazo podem se beneficiar da reavaliação do valor de chips de armazenamento, que passa de “commodities” para “recursos estratégicos”.$MU
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