Samsung внедрит 2-нм техпроцесс для HBM5 AI-памяти — на 50% быстрее, чем HBM4E

2026-07-27 03:36:47

По данным Chosun Daily, 27 июля Samsung Electronics объявила о планах использовать 2-нанометровый техпроцесс для базового кристалла своего восьмого поколения высокоскоростной памяти (HBM5). Компания заявила, что HBM5 будет обрабатывать данные более чем на 50% быстрее, чем текущие чипы HBM4E, благодаря 2-нанометровому Gate-All-Around базовому кристаллу и усовершенствованным межсоединениям через кремний (TSV), что повысит скорость и энергоэффективность.

Посмотреть источник

Дисклеймер: Информация на этой странице может быть получена из источников третьих сторон и предоставляется только для ознакомления. Она не отражает взгляды или мнения Gate и не является финансовой, инвестиционной или юридической рекомендацией. Торговля виртуальными активами связана с высоким риском. Пожалуйста, не основывайте свои решения исключительно на данных этой страницы. Подробнее смотрите в Дисклеймере.

Связанные новости

10ч назад

Samsung и SK Hynix заключают $950B долгосрочные сделки по поставкам чипов для ИИ с Broadcom, NVIDIA и Microsoft

13ч назад

Nvidia урезает вдвое объем памяти CPU Vera Rubin NVL72 на фоне всплеска цен на LPDDR5X

07-26 04:31

Samsung и Broadcom заключили партнёрство по ИИ-чипам на сумму 200 млрд долларов до 2030 года 25 июля

07-25 07:16

Samsung и Broadcom заключают партнёрство по чипам для ИИ на сумму $200B+ к 2030 году

07-25 03:13

Qualcomm нацелилась на выручку от центров обработки данных $15B Data к 2029 году на фоне активного продвижения ИИ-чипов

Детальный анализ