根據 BlockBeats 報導，7 月 5 日，英特爾正考慮為其 1.4nm 級別的 14A 製程節點採用雙面供電架構，以與台積電和三星競爭。該公司原本計劃在 14A 中使用 PowerDirect 背面供電技術，但現在正在評估一種利用正面和背面金屬層的雙面方法。英特爾的 14A 製程目標為 M0 間距 28 奈米，晶片密度比 18A 高出 1.3 倍；後續的 14A2 製程可能透過半節點改進實現 21 奈米 M0 間距。英特爾計劃於 2026 年 10 月向外部客戶發布 14A 製程設計套件 0.9 版，14A 風險生產預計在 2028 年，量產則在 2029 年。
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