根據《日本時報》報導，Kioxia 已開始將其 332 層第 10 代 3D NAND 快閃記憶體晶片樣品送交給 AI 數據中心營運商。新晶片的位元密度比其第 8 代產品提高 59%，數據速度達到 4.8 Gb/s，比上一代快約 33%，同時輸入功耗降低 10%，輸出功耗降低 34%。Kioxia 正在其位於岩手縣北上市的 Fab2 廠房生產該晶片，該廠房已於 2025 年 9 月啟用。公司預期在 2026 年上半年達到顯著產量。
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