九大美國產業公會聯名致函川普，AI 搶走 25% DRAM 產能引爆缺料危機

據彭博社報道，汽車、醫療器材、零售、電信在內的九大美國產業公會於 6 月 4 日聯名向財政部長和商務部長警告，信中指出：AI 資料中心正消耗「不成比例的記憶體晶片產能」，導致記憶體價格出現前所未有的飆升，同時令製造業與消費端產業的供應急速萎縮。市場分析估計，HBM（高頻寬記憶體）已佔 DRAM 整體晶圓產能約 25%。

聯名信的具體訴求：確認的三項政府行動方向

依據彭博對這封聯名信的報道，九大產業公會要求政府採取的行動包含三個方向：與記憶體製造商及下游買家合作，在美國本土與友好國家擴建產能；善用貿易協定機制或《晶片法案》框架確保供應鏈安全；以及明確要求保障政策覆蓋範圍必須包含消費端與製造業市場，而非僅限於 AI 相關客戶。

聯名信援引的《晶片法案》是美國 2022 年通過的半導體補貼與本土製造政策，此前主要被用來引導台積電等晶圓廠赴美設廠；產業公會的訴求是將政策力道從 AI 算力端向下延伸至傳統製造業和消費端。

三大記憶體廠的美國產能現況：確認的建廠計劃與實際進度

目前，美光（Micron Technology）是美國境內唯一生產記憶體晶圓的廠商；三星與 SK 海力士的記憶體晶圓主力產能仍集中在韓國本土。美光正在紐約州與愛達荷州推進新廠計劃，但彭博指出這些產能要上線仍需數年時間。

美國商務部長 Howard Lutnick 已對兩家韓系廠商施壓，要求 SK 海力士與三星在美國境內設廠；三星目前在德州奧斯汀興建的是邏輯晶片廠，SK 海力士計劃在印第安那州建的是封裝廠，兩者均非記憶體晶圓廠。美光與 SK 海力士上月雙雙突破兆元市值，兩家公司股價年初至今漲幅均超過 240%。

常見問題

HBM 和標準 DRAM 為何無法共用同一批晶圓產能？

HBM（高頻寬記憶體）是一種將多層記憶體晶片垂直疊起、緊貼 AI 運算晶片放置的特殊結構，生產工序和技術要求與標準 DRAM 不同。三星、SK 海力士和美光為了滿足 Nvidia 等 AI 晶片廠商的 HBM 訂單，將原本用來生產標準 DRAM 的晶圓產能重新分配，因為 HBM 的利潤更高；這直接壓縮了可分配給汽車、醫療器材等行業所需標準 DRAM 的供應量。

九大美國產業公會包含哪些具體行業？

源文確認的涵蓋行業包括汽車、醫療器材、零售和電信，並描述為「橫跨製造與消費端的主要產業」。聯名信指出，受波及的不是邊緣產業，而是美國經濟的核心骨幹。

即便三星和 SK 海力士在美建廠，為何供應缺口短期內無法解決？

三星在德州奧斯汀的建廠項目和 SK 海力士在印第安那州的計劃，均為邏輯晶片廠或封裝廠，而非記憶體晶圓廠，不能直接增加 DRAM 供應。美光在紐約州和愛達荷州的新廠計劃是記憶體晶圓廠，但彭博指出這些產能要實際上線仍需數年時間，在此空窗期內，傳統製造業與 AI 大廠爭搶記憶體供應的格局不會改變。