据 BlockBeats 报道，7 月 5 日，英特尔正考虑为其 1.4nm 级 14A 制程节点采用双面供电架构，以与台积电和三星竞争。该公司最初计划在 14A 中使用 PowerDirect 背面供电技术，但现在正在评估利用前端和背面金属层的双面方案。英特尔的 14A 工艺目标 M0 间距为 28 纳米，芯片密度比 18A 高 1.3 倍；后续的 14A2 工艺可能通过半节点改进实现 21nm 的 M0 间距。英特尔计划于 2026 年 10 月向外部客户发布 14A 工艺设计套件 0.9 版本，14A 预计于 2028 年风险试产，2029 年量产。
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