據 BlockTempo 於 6 月 25 日報道，美國商務部於 2025 年 12 月簽署意向書，承諾透過 CHIPS 法案向 xLight 投入至多 1.5 億美元並取得直接股權，是川普政府新設 CHIPS 研發辦公室的第一筆股權交易。前英特爾執行長 Pat Gelsinger（季辛格）為該公司執行董事長。
美商務部簽署意向書，取得 xLight 股權
美國商務部長在意向書聲明中表示：「長久以來，美國把先進微影的前沿讓給了別人。在川普總統領導下，那些日子結束了。」加上聯邦資金，xLight 迄今已累計募得約 2 億美元，另有至多 42 億美元的不具約束力專案融資承諾用於未來建廠。
季辛格所屬的創投 Playground Global 已於 2025 年 7 月領投 xLight 的 4,000 萬美元 B 輪融資；此次 3.5 億美元融資計劃同時邀請 ASML、台積電、英特爾和美光共同投資，各方參與狀態尚未公開。季辛格在英特爾任職數十年，是 2022 年 CHIPS 法案通過的重要推動者之一。
ASML 執行長公開表示正與 xLight 合作技術驗證
ASML 現行 EUV 光源採用「雷射誘發電漿」技術，每秒以高功率雷射數萬次轟擊熔融錫滴，使其放出 13.5nm 的 EUV 光，最新一代機臺單價達 3 至 4 億美元。xLight 採用「自由電子雷射」路徑：以小型粒子加速器將電子加速至接近光速，讓高速電子穿過交替排列的磁鐵，電子在磁場中擺動放出 EUV 光，不需轟擊錫滴。
xLight 宣稱這種做法可達到 2nm 波長（ASML 現行機臺為 13.5nm），並將大幅降低先進 AI 晶片的製造成本。xLight 的定位是以光源供應商身份切入 ASML 機臺，而非直接競爭整機業務。ASML 執行長 Fouquet 已公開表示「ASML 正與 xLight 合作進行技術驗證」；xLight 正在 Albany NanoTech 園區興建第一座原型廠，目標是 2028 年讓第一具可運作光源上線，距今仍有兩年以上。
半導體專家 Fred Chen：高功率 EUV 與護膜及光阻的材料相容性問題尚無公開解方
半導體論壇 SemiWiki 的 Fred Chen 直接指出核心矛盾：「更高的 EUV 功率肯定不相容於護膜，而且很可能也會變得不相容於光阻。」護膜是貼在光罩上的超薄保護膜，用於防止灰塵破壞晶圓良率；光阻是塗在晶圓上的感光塗層，負責將電路圖案轉印上去。功率過高時，護膜將被燒穿，光阻的化學反應也可能失控，兩個問題目前均無公開解方。
xLight 的商業模式建立在「2nm 波長可達高功率並保持材料相容」的前提上，這一前提目前仍是宣稱而非驗證過的事實。
常見問題
xLight 的自由電子雷射與 ASML 現行技術的核心差異是什麼？
ASML 採用「雷射誘發電漿」技術，以雷射轟擊熔融錫滴放出 13.5nm 的 EUV 光，最新一代機臺單價 3 至 4 億美元。xLight 採用「自由電子雷射」，將高速電子穿過交替磁鐵放出 EUV 光，宣稱可達 2nm 波長，定位是以光源供應商身份切入 ASML 機臺，而非直接競爭整機業務。
美國政府對 xLight 的投資結構是什麼？
美國商務部已於 2025 年 12 月簽署意向書，承諾透過 CHIPS 法案向 xLight 投入至多 1.5 億美元並取得直接股權，是川普政府 CHIPS 研發辦公室的第一筆股權交易。加上此前融資，xLight 累計募得約 2 億美元，另有至多 42 億美元的不具約束力專案融資承諾。
xLight 的技術面臨哪些已識別的材料科學挑戰？
SemiWiki 的 Fred Chen 指出，高功率 EUV 光與護膜和光阻的材料相容性存在根本矛盾，目前尚無公開解方。xLight 商業模式的核心前提——2nm 波長可達高功率並保持材料相容——目前仍是宣稱而非驗證過的事實；原型廠預計 2028 年上線。
